K4T51163QQ-BCE6

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Hersteller-Nummer K4T51163QQ-BCE6
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T51163QQ-BCE6000
K4T51163QQ-BCE60000
K4T51163QQ-BCE6T00
K4T51163QQ-BCE6T000
K4T51163QQ-BCE6TCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 667 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 17th Generation
Power Normal Power

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Teilenummer Menge Stückpreis (USD) Datecode Anmerkung
K4T51163QQ-BCE6000 200 1404 Auf Lager Anfrage senden

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K4T51163QQ-BCE6T00 18.000 16+ Anfrage senden
K4T51163QQ-BCE6000 20.000 15+ Anfrage senden
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FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY5PS121621LF-Y5 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621LFP-Y5 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T5121600BF-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160AF-3 TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160AF-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160B2C3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160B2F-3 TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160B2F-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160B2FL-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160BC-3 TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C