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Hersteller-Nummer | K4T51163QQ-BCE6 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR2 SDRAM |
IC-Code | 32MX16 DDR2 |
Andere Bezeichnungen | K4T51163QQ-BCE6000 |
K4T51163QQ-BCE60000 | |
K4T51163QQ-BCE6T00 | |
K4T51163QQ-BCE6T000 | |
K4T51163QQ-BCE6TCV |
Gehäuse | FBGA-84 |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.8 V |
Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 667 MBPS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 32M |
Bit Organization | x16 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 17th Generation |
Power | Normal Power |
Teilenummer | Menge | Stückpreis (USD) | Datecode | Anmerkung | |
---|---|---|---|---|---|
K4T51163QQ-BCE6000 | 200 | 1404 | Auf Lager | Anfrage senden |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K4T51163QQ-BCE6 | 4.000 | Anfrage senden | |
K4T51163QQ-BCE6000 | 200 | Anfrage senden | |
K4T51163QQ-BCE6 | 3.000 | Anfrage senden | |
K4T51163QQ-BCE6 | 0 | Anfrage senden | |
K4T51163QQ-BCE6 | 10.240 | Anfrage senden | |
K4T51163QQ-BCE6 | 5.120 | Anfrage senden | |
K4T51163QQ-BCE6 | 10.000 | Anfrage senden | |
K4T51163QQ-BCE6T00 | 18.000 | 16+ | Anfrage senden |
K4T51163QQ-BCE6000 | 20.000 | 15+ | Anfrage senden |
K4T51163QQ-BCE6 | 12.800 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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HY5PS121621LF-Y5 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621LFP-Y5 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T5121600BF-3S | TFBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512160AF-3 | TFBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512160AF-3S | TFBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512160B2C3S | TFBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512160B2F-3 | TFBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512160B2F-3S | TFBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512160B2FL-3S | TFBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512160BC-3 | TFBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |