K4T56163QGHIE6
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4T56163QGHIE6 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR2 SDRAM |
| IC-Code | 16MX16 DDR2 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-84 |
| Verpackung | |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 1.8 V |
| Betriebstemperatur | -45 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 667 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 16M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 256M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 8th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4T56163QGHIE6 | 6.500 | Anfrage senden |