K4T56163QN-HCF7

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4T56163QN-HCF7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 16MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T56163QN-HCF7T00

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 14th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T56163QN-HCF7 2.000 Anfrage senden
K4T56163QN-HCF7 6.500 Anfrage senden
K4T56163QN-HCF7 1.990 1125+ Anfrage senden
K4T56163QN-HCF7T00 1.132 Anfrage senden
K4T56163QN-HCF7 1.990 2012 Anfrage senden
K4T56163QN-HCF7 2.047 Anfrage senden
K4T56163QN-HCF7 2.047 2009+ Anfrage senden
K4T56163QN-HCF7 1.990 2006+ Anfrage senden
K4T56163QN-HCF7 2.047 1125+ Anfrage senden
K4T56163QN-HCF7 1.990 201125+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EM68A16CBQC-25H FBGA-84 1.7V~1.9V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160AC-5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160AF FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160AF-2.5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160AF-28 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160AF-5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160AF-5A FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160AF50 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160BF-2.5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160BF-25F FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C