K4T56163QN-HCF8
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4T56163QN-HCF8 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR2 SDRAM |
| IC-Code | 16MX16 DDR2 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-84 |
| Verpackung | |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 1.8 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 1066 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 16M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 256M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 14th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4T56163QN-HCF8 | 6.500 | Anfrage senden | |
| K4T56163QN-HCF8 | 2.000 | 2010+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4T56163QOHCF8 | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| W9725G6JB-18 | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| W9725G6KB-18 | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |