K4U6E3S4AM-GFCL

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4U6E3S4AM-GFCL
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie LPDDR4X SDRAM
IC-Code 512MX32 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 0.6 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 4266 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D WFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4U6E3S4AA-MGCJ FBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4U6E3S4AA-MGCL FBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4U6E3S4AA-MGCL ARE AVL FBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4U6E3S4AA-MGCL000 FBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4U6E3S4AA-MGCLT00 FBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4U6E3S4AA-MGCR FBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4U6E3S4AA-MGCR/L FBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4U6E3S4AA-MGCR000 FBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4U6E3S4AA-MGCR0UT FBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4U6E3S4AA-MGCROUT FBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -25 C~+85 C