K4U8E3S4AD-GHCL

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4U8E3S4AD-GHCL
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie LPDDR4X SDRAM
IC-Code 256MX32 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 0.6 V
Betriebstemperatur -40 C~+105 C
Geschwindigkeit 4266 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B VFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+105 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4U8E3S4AD-GFCL FBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -40 C~+105 C
K4U8E3S4AD-GFCL03V FBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -40 C~+105 C
K4U8E3S4AD-GHCL02V FBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -40 C~+105 C
K4U8E3S4AD-GHCLT2V FBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -40 C~+105 C
K4U8E3S4AD-GUCL FBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -40 C~+105 C
W66DP2RQQAHJ TFBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -40 C~+105 C
W66DP2RQTAHJ TFBGA-200 0.6 V 4266 MBPS -40 C~+105 C