K4ZAF325BC-SC28
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4ZAF325BC-SC28 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | GDDR6 SDRAM |
| IC-Code | 512MX32 GDDR6 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-180 |
| Verpackung | |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 1.35V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 20 GB/S |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Bit Organization | x32 |
| Internal Banks | 16 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 4th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4ZAF325BC-SC28 | 0 | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| H56G42AS8DX014 | FBGA-180 | 1.35V | 20 GB/S | 0 C~+85 C |
| H56G42AS8DX014N | FBGA-180 | 1.35V | 20 GB/S | 0 C~+85 C |
| K4ZAF325BC-SC20 | FBGA-180 | 1.35V | 20 GB/S | 0 C~+85 C |
| K4ZAF325BC-SC20000 | FBGA-180 | 1.35V | 20 GB/S | 0 C~+85 C |
| K4ZAF325BC-SC20L | FBGA-180 | 1.35V | 20 GB/S | 0 C~+85 C |
| K4ZAF325BC-SC24 | FBGA-180 | 1.35V | 20 GB/S | 0 C~+85 C |