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Hersteller-Nummer | K9F2G08U0C-BCB0/BIB0 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | FLASH-NAND |
IC-Code | 256MX8 NAND SLC |
Gehäuse | FBGA-63 |
Verpackung | TRAY |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 2.7V-3.6V |
Betriebstemperatur | 0 C~+70 C |
Geschwindigkeit | 25 NS |
Standard Stückzahl | 1280 |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x8 |
Density | 2G |
Generation | 4th Generation |
Pre Prog Version | None |
Classification | SLC Normal |
Cust Bad Block | Include Bad Block |
Mode | Normal |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
MT29F2G08ABAEAH4 | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F2G08ABAEAH4-E:E | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F2G08ABAEAH4-EE | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F2G08ABAEAH4-EES:E | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F2G08ABAEAH4:E (2G NANDFLA | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F2G08ABAEAH4:E TRAY | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F2G08ABAEAH4ES:E | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F2G08ABAEAH4ETRAY | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F2G08ABAEAH5:E | FBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |