K9F5608UOBDCB0

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Hersteller-Nummer K9F5608UOBDCB0
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 32MX8 NAND SLC

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.7V~3.6V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x8
Density 256M
Pre Prog Version None
Generation 3rd Generation
Classification SLC Normal
Cust Bad Block Include Bad Block

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9F5608UOBDCB0 5.500 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F5608DOC-DCBO TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS 0 C~+70 C
K9F5608U0B-DCB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS 0 C~+70 C
K9F5608U0B-DCB0000 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS 0 C~+70 C
K9F5608U0B-DCBO TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS 0 C~+70 C
K9F5608U0C-DCB TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS 0 C~+70 C
K9F5608U0C-DCB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS 0 C~+70 C
K9F5608U0C-DCB000 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS 0 C~+70 C
K9F5608U0C-DCB0000 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS 0 C~+70 C
K9F5608UOB-DCB0-TBGA TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS 0 C~+70 C
K9F5608UOB-DCBO TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS 0 C~+70 C