K9HBG08U1M-IIB0000
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K9HBG08U1M-IIB0000 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | FLASH-NAND |
| IC-Code | 4GX8 NAND MLC |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | TSOP |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 2.7V-3.6V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 4G |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 32G |
| Generation | 1st Generation |
| Pre Prog Version | None |
| Classification | MLC QDP |
| Cust Bad Block | Include Bad Block |
| Mode | Dual nCE & Dual R/nB |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K9HBG08U1M-IIB0000 | 15 | Anfrage senden |