K9K2G08U1M-VIB0

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K9K2G08U1M-VIB0
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 256MX8 NAND SLC

Produktbeschreibung

Gehäuse WSOP
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.7V-3.6V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 25 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x8
Density 2G
Pre Prog Version None
Generation 1st Generation
Mode Dual nCE & Dual R/nB
Classification SLC DDP
Cust Bad Block Include Bad Block

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9K2G08U1M-VIB0 8.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F2G08U0M-VIBO WSOP 2.7V~3.6V 25 NS -40 C~+85 C
K9F2G08UOM-VIO0TOO WSOP 2.7V~3.6V 25 NS -40 C~+85 C
K9K2G08U0A-VIB0 WSOP 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
K9K2G08U0A-VIBO WSOP 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
K9K2G08U0M-VIB0000 WSOP 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
K9K2G08U0M-VIB0T00 WSOP 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
K9K2G08U0MVIB0 WSOP 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
K9K2G08UOA-VIB0 WSOP 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
K9K2G08UOA-VIBO WSOP 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
K9K2G08UOM-VIBO WSOP 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C