KM416V1004AT-L7

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer KM416V1004AT-L7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO
Andere Bezeichnungen KM416V1004AT-L7T

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(44/50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 70 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
KM416V1004AT-L7 9.592 Anfrage senden
KM416V1004AT-L7 10.000 1997+ Anfrage senden
KM416V1004AT-L7 3.580 2006+ Anfrage senden
KM416V1004AT-L7 8.336 05+ Anfrage senden
KM416V1004AT-L7 8.336 2005+ Anfrage senden
KM416V1004AT-L7 31.000 1996 Anfrage senden
KM416V1004AT-L7 10.000 Anfrage senden
KM416V1004AT-L7 9.112 1996 Anfrage senden
KM416V1004AT-L7 3.000 Anfrage senden
KM416V1004AT-L7 8.640 1996 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
GM71V18163-6/7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
GM71V18163-7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
GM71V18163BT-7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
GM71V18163CT-7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
GM71VS18163BLT-7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
GM71VS18163CLT-7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
HM51W18160AJ-7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
HM51W18160ATT7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
HM51W18165ALTT-7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
HM51W18165LFP-7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C