KM416V1200AT-L7

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Hersteller-Nummer KM416V1200AT-L7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 FP
Andere Bezeichnungen KM416V1200AT-L7T

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(44/50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 70 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
KM416V1200AT-L7 7 Anfrage senden
KM416V1200AT-L7 3.580 2005+ Anfrage senden
KM416V1200AT-L7 8.358 05+ Anfrage senden
KM416V1200AT-L7 7 Anfrage senden
KM416V1200AT-L7 8.358 2005+ Anfrage senden
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KM416V1200AT-L7 1.981 Anfrage senden
KM416V1200AT-L7T 5.028 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
GM71V18160BT-7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
GM71V18160CT7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
GM71VS16160CLT-7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
HM51W16160-LTT-7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
HM51W16160ALTT7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
HM51W16160ATT-7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
HM51W16160TT-7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
HM51W16165ACTT7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
HM51W16165ALTT7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C
HM51W16165BLTT7 TSOP2(44/50) 3.3 V 70 NS 0 C~+70 C