KM416V1204CJ-6

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer KM416V1204CJ-6
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO
Andere Bezeichnungen KM416V1204CJ-60
KM416V1204CJ-6T

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-42
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
KM416V1204CJ-6 148 9948- Anfrage senden
KM416V1204CJ-6 148 Anfrage senden
KM416V1204CJ-6 148 -9948 Anfrage senden
KM416V1204CJ-6 100 0 Anfrage senden
KM416V1204CJ-6 322 DC98 Anfrage senden
KM416V1204CJ-6 12.600 10+ Anfrage senden
KM416V1204CJ-6 324 DC98 Anfrage senden
KM416V1204CJ-6 2.000 10+ Anfrage senden
KM416V1204CJ-6 148 9948' Anfrage senden
KM416V1204CJ-6 2 9951' Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E151612D-JC60 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HM51W18165J-6 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
HM51W18165JJ6 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
HM51W18165LJ-6 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
HY51V16164BJ-6 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
HY51V16164BJ-60 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
HY51V16164CJ-6 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
HY51V16164CSLC-60 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
HY51V16164CSLC-60 (1MX16/EDO/3 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
HY51V18164BJ-60 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
HY51V18164CJ-6 SOJ-42 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C