KM416V1204CT-5

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer KM416V1204CT-5
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO
Andere Bezeichnungen KM416V1204CT-50
KM416V1204CT5T

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(44/50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
KM416V1204CT-5 1.215 DC99 Anfrage senden
KM416V1204CT-5 302 DC09 Anfrage senden
KM416V1204CT-5 302 9 Anfrage senden
KM416V1204CT-5 1.215 99 Anfrage senden
KM416V1204CT-5 12.600 10+ Anfrage senden
KM416V1204CT-5 2.500 10+ Anfrage senden
KM416V1204CT-5 10.000 Anfrage senden
KM416V1204CT-5 1.180 07+ Anfrage senden
KM416V1204CT-5 12.000 Anfrage senden
KM416V1204CT-5 50 99 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
A42L0616V-15 TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+70 C
A42L0616V-50 TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+70 C
A42L0616V-50/Q TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+70 C
A42L0616V-50/V TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+70 C
A42L0616V-50F TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+70 C
A42L0616V-50F/T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+70 C
A42L0616V-50U TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+70 C
A42L0616V-50U/Q TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+70 C
AS4LC1M16E-50TC TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+70 C
AS4LC1M16E5-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+70 C