KM416V4004BS-6

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Hersteller-Nummer KM416V4004BS-6
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
KM416V4004BS-6 8.000 10+ Anfrage senden
KM416V4004BS-6 2.000 10+ Anfrage senden
KM416V4004BS-6 613 Anfrage senden
KM416V4004BS-6 20.000 1999+ Anfrage senden
KM416V4004BS-6 9.800 1999+ Anfrage senden
KM416V4004BS-6 5.515 99+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
GM71V65163AT-6 TSOP2(50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
GM71V65163BLT-60 TSOP2(50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
GM71V65163CLT-5/6 TSOP2(50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
GM71V65163CLT6 TSOP2(50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
GM71V65163CT-5/6 TSOP2(50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
GM71V65163CT-6 TSOP2(50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
GM71V65163CT-6 TSOP2(50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
GM71V65163CT-60 TSOP2(50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
GM71V65163CT6 TSOP2(50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
GM71V65163TC-6 TSOP2(50) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C