KM416V4104CS-6

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	KM416V4104CS-6
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen	KM416V4104CS-6T

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(50)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
KM416V4104CS-6	39.600	10+	Anfrage senden
KM416V4104CS-6	2.000	10+	Anfrage senden
KM416V4104CS-6	1.000	1998+	Anfrage senden
KM416V4104CS-6	3.580	2005+	Anfrage senden
KM416V4104CS-6	5.000	2008+	Anfrage senden
KM416V4104CS-6	5.000		Anfrage senden
KM416V4104CS-6	8.336	2005+	Anfrage senden
KM416V4104CS-6	12.000		Anfrage senden
KM416V4104CS-6	8.336	05+	Anfrage senden
KM416V4104CS-6	312		Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
GM71V65163AT-6	TSOP2(50)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
GM71V65163BLT-60	TSOP2(50)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
GM71V65163CLT-5/6	TSOP2(50)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
GM71V65163CLT6	TSOP2(50)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
GM71V65163CT-5/6	TSOP2(50)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
GM71V65163CT-6	TSOP2(50)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
GM71V65163CT-6	TSOP2(50)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
GM71V65163CT-60	TSOP2(50)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
GM71V65163CT6	TSOP2(50)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
GM71V65163TC-6	TSOP2(50)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C