M471A5143EB0-CPBD0

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Hersteller-Nummer M471A5143EB0-CPBD0
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SO-DIMM
IC-Code 4GB DDR4 SODIMM

Produktbeschreibung

Gehäuse 260-PIN
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 2133 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Power Normal Power
Generation 6th Gen.
Dimm Type SODIMM
Banks 16Banks & POD-1.2V
Pcb Revision Mother PCB

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
M471A5143EB0-CPBD0 0 Anfrage senden
M471A5143EB0-CPBD0 50 16 Anfrage senden
M471A5143EB0-CPBD0 50 2016+ Anfrage senden
M471A5143EB0-CPBD0 1.550 Anfrage senden
M471A5143EB0-CPBD0 350 Anfrage senden
M471A5143EB0-CPBD0 20.722 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
CT4G4SFS8213 260-PIN 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
CT4G4SFS8213.C8FBD1 260-PIN 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
CT4G4SFS8213.C8FBD1 (RETAIL) 260-PIN 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
CT4G4SFS8213.C8FBD2 260-PIN 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
M471A5143DB0-CPB 260-PIN 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
M471A5143DB0-CPB0 260-PIN 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
M471A5143DB0-CPB00 260-PIN 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
M471A5143DB0-CPBD0 260-PIN 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
M471A5143DB0-CPBQ0 260-PIN 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
M471A5143DBO-CPB 260-PIN 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C