TC58NVG2S0HBAI6

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Hersteller-Nummer TC58NVG2S0HBAI6
Hersteller KIOXIA
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 512MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen TC58NVG2S0HBAI6 TRAY

Produktbeschreibung

Gehäuse BGA-67
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 25 NS
Standard Stückzahl 338
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Mono Stack Single Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 4KB
Design Rule 24nm B-type
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 13 x 17 x 1.04, BGA[mm]: 60 balls, 8.5 x 13 *1
Package Material Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes
Channel Single, # of CE 1
Block Size 256KB

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
TC58NVG2S0HBAI6 0 25+ Anfrage senden
TC58NVG2S0HBAI6 0 Anfrage senden
TC58NVG2S0HBAI6 1.014 Anfrage senden
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TC58NVG2S0HBAI6 1.352 Anfrage senden
TC58NVG2S0HBAI6 5.000 24+25+ Anfrage senden
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TC58NVG2S0HBAI6 4.000 21+ Anfrage senden
TC58NVG2S0HBAI6 30.000 16+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT29F4G08ABAFAH4-IT:F VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
TC58BVG2S0HBAI6 BGA-67 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58NVG2S5HBAI6 BGA-67 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C