TC58NVM9S3EBAI4

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Hersteller-Nummer TC58NVM9S3EBAI4
Hersteller KIOXIA
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 64MX8 NAND SLC

Produktbeschreibung

Gehäuse BGA-63
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 25 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x8
Density 64M
Mono Stack Single Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 2KB
Design Rule 43 nm
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 12 x 17 x 1.0, BGA[mm]: 60 balls, 9 x 11
Package Material Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes
Channel Single, # of CE 1
Block Size 128KB

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
TC58NVM9S3EBAI4 2.196 2012+ Anfrage senden
TC58NVM9S3EBAI4 1.103 14+ Anfrage senden
TC58NVM9S3EBAI4 630 Anfrage senden
TC58NVM9S3EBAI4 545 Anfrage senden
TC58NVM9S3EBAI4 204 Anfrage senden
TC58NVM9S3EBAI4 545 Anfrage senden
TC58NVM9S3EBAI4 32.000 Anfrage senden
TC58NVM9S3EBAI4 10.005 Anfrage senden
TC58NVM9S3EBAI4 10.101 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F1208BOB-GIBO FBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0A-GIB0 FBGA-63 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
MX30LF1208AA-XKI VFBGA-63 2.7V~3.6V 25 NS -40 C~+85 C
MX30LF1208AA-XKI/TR VFBGA-63 2.7V~3.6V 25 NS -40 C~+85 C
TC58NVM9S3EBAI4JAH BGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C