TC58NYG0S3EBAI4

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Hersteller-Nummer TC58NYG0S3EBAI4
Hersteller KIOXIA
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 128MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen TC58NYG0S3EBAI4 REEL

Produktbeschreibung

Gehäuse BGA-63
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 25 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x8
Density 128M
Mono Stack Single Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 2KB
Design Rule 43 nm
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 12 x 17 x 1.0, BGA[mm]: 60 balls, 9 x 11
Package Material Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes
Channel Single, # of CE 1
Block Size 128KB

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
TC58NYG0S3EBAI4 153 14+ Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4 414 1552+ Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4 22.838 Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4 100,000+ Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4 22.849 Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4 26.676 Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4 26.946 Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4 26.700 Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4 22.428 Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4 26.339 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H27S1G8F2BFR-BI FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2BFR-BI NBSP FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2BFR-BIR FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2CFE-BI FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2CFR-BI FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
IS35MW01G084-BLA1 VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R08-JIBO FBGA-63 1.65V~1.95V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R0A-/B-JIB FBGA-63 1.65V~1.95V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R0A-JIB0000 FBGA-63 1.65V~1.95V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R0A/B-JIB0 FBGA-63 1.65V~1.95V 25 NS -40 C~+85 C