TC58NYG0S3HBAI6

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Hersteller-Nummer TC58NYG0S3HBAI6
Hersteller KIOXIA
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 128MX8 NAND SLC

Produktbeschreibung

Gehäuse BGA-67
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 25 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x8
Density 128M
Mono Stack Single Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 2KB
Design Rule 24nm B-type
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 13 x 17 x 1.04, BGA[mm]: 60 balls, 8.5 x 13 *1
Package Material Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes
Channel Single, # of CE 1
Block Size 128KB

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
TC58NYG0S3HBAI6 0 1630 Anfrage senden
TC58NYG0S3HBAI6 0 1630+ Anfrage senden
TC58NYG0S3HBAI6 5.000 24+25+ Anfrage senden
TC58NYG0S3HBAI6 1.101 1431+ Anfrage senden
TC58NYG0S3HBAI6 19.106 1536+ Anfrage senden
TC58NYG0S3HBAI6 2.457 15+ Anfrage senden
TC58NYG0S3HBAI6 17.995 1536+ Anfrage senden
TC58NYG0S3HBAI6 1.111 1431+ Anfrage senden
TC58NYG0S3HBAI6 30 DC15 Anfrage senden
TC58NYG0S3HBAI6 30 15 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
TC58BYG0S3HBAI6 BGA-67 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58BYG0S3HBAI6 TRAY BGA-67 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58BYG0S3HBAI6JDH BGA-67 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58BYG0S3HBAI7 TRAY BGA-67 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58NYG0SHBAI6 BGA-67 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C