TH58NVG2S3HBAI4

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Hersteller-Nummer TH58NVG2S3HBAI4
Hersteller KIOXIA
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 512MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen TH58NVG2S3HBAI4 TRAY

Produktbeschreibung

Gehäuse BGA-63
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 25 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Mono Stack Multi Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 2KB
Design Rule 24nm B-type
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 12 x 17 x 1.0, BGA[mm]: 60 balls, 9 x 11
Package Material Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes
Channel Single, # of CE 1
Block Size 128KB

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
TH58NVG2S3HBAI4 58.122 Anfrage senden
TH58NVG2S3HBAI4 2.428 Anfrage senden
TH58NVG2S3HBAI4 3.985 Anfrage senden
TH58NVG2S3HBAI4 1.456 Anfrage senden
TH58NVG2S3HBAI4 5.147 Anfrage senden
TH58NVG2S3HBAI4 58.100 Anfrage senden
TH58NVG2S3HBAI4 2.255 Anfrage senden
TH58NVG2S3HBAI4 7.461 Anfrage senden
TH58NVG2S3HBAI4 55.007 Anfrage senden
TH58NVG2S3HBAI4 3.000 19+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS34ML04G088-BLI VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
IS34ML04G168-BLI VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
K9F4G08U0A-JIB0 FBGA-63 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
K9F4G08UOAJIBO FBGA-63 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08AACHC-ET ES:C VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08AACHC-ET QS:C VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08AACHC-ET:C VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08AACHC-ETC VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABAD4H4-IT VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABADAH4-IT VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C