TH58NYG2S3HBAI4

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Hersteller-Nummer TH58NYG2S3HBAI4
Hersteller KIOXIA
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 512MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen TH58NYG2S3HBAI4 TRAY

Produktbeschreibung

Gehäuse BGA-63
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 25 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Mono Stack Multi Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 2KB
Design Rule 24nm B-type
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 12 x 17 x 1.0, BGA[mm]: 60 balls, 9 x 11
Package Material Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes
Channel Single, # of CE 1
Block Size 128KB

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
TH58NYG2S3HBAI4 0 25+ Anfrage senden
TH58NYG2S3HBAI4 2.089 19+ Anfrage senden
TH58NYG2S3HBAI4 TRAY 798 Anfrage senden
TH58NYG2S3HBAI4 2.100 Anfrage senden
TH58NYG2S3HBAI4 10 Anfrage senden
TH58NYG2S3HBAI4 10 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITD VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITDTR VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITEES:D VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITES:D VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITX VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D TR VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C