H5AN4G8NBJR-RDC

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 H5AN4G8NBJR-RDC
厂牌 SK HYNIX/海力士
IC 类别 DDR4 SDRAM
IC代码 512MX8 DDR4

产品详情

脚位/封装 FBGA-78
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.2 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 1866 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Operating Temperature commercial temperature(0°C ~ 85°C) & normal power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
Die Generation 3rd
No Of Banks Non-TSV
Product Family DRAM
Shipping Method tray

可替代IC编号

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT40A512M8SA-062E IT:F FBGA-78 1.2 V 3200 MBPS -40 C~+95 C

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT40A512M8HX-107 ES:A FBGA-78 1.2 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT40A512M8HX-107:A FBGA-78 1.2 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT40A512M8HX-107E ES:A FBGA-78 1.2 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT40A512M8HX-107E:A FBGA-78 1.2 V 1866 MBPS 0 C~+85 C