H5DU1262GTR-E3C

产品概述

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制造商IC编号 H5DU1262GTR-E3C
厂牌 SK HYNIX/海力士
IC 类别 DDR1 SDRAM
IC代码 8MX16 DDR1
共通IC编号 H5DU1262GTR-E3C/66P
H5DU1262GTR-E3C/FBC
H5DU1262GTR-E3CDR
H5DU1262GTR-E3CR

产品详情

脚位/封装 TSOP2
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 2.5 V
温度规格 0 C~+70 C
速度 200 MHZ
标准包装数量 960
标准外箱
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Operating Temperature commercial temperature(0°C~70°C) & normal power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
Die Generation 8th
No Of Banks 4 banks
Product Family DRAM
Shipping Method tray

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
H5DU1262GTR-E3C 20,000 索取报价
H5DU1262GTR-E3C 15,637 20+ 索取报价
H5DU1262GTR-E3C 15,637 STOCK 索取报价
H5DU1262GTR-E3C 1 索取报价
H5DU1262GTR-E3C 15,637 索取报价
H5DU1262GTR-E3C 2,880 12+ 索取报价
H5DU1262GTR-E3C 3,620 索取报价
H5DU1262GTR-E3CR 4,714 索取报价
H5DU1262GTR-E3C 387 索取报价
H5DU1262GTR-E3C 1,000 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H5DU1262ETR-E3C TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
H5DU1262GTR-E3 TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C