H5TQ1G63EFR-PBJ

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 H5TQ1G63EFR-PBJ
厂牌 SK HYNIX/海力士
IC 类别 DDR3 SDRAM
IC代码 64MX16 DDR3

产品详情

脚位/封装 FBGA-96
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.5 V
温度规格 -40 C~+95 C
速度 1600 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Operating Temperature Industrial Temp2) & Low Power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
Die Generation 6th
No Of Banks 8 banks
Product Family DRAM
Shipping Method tray

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
H5TQ1G63EFR-PBJ 2,185 14+ 索取报价
H5TQ1G63EFR-PBJ 2,185 DDR3 64X 索取报价
H5TQ1G63EFR-PBJ 2,185 14 索取报价
H5TQ1G63EFR-PBJ 2,185 2014+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
NT5CB64M16FP-DII FBGA-96 1.5 V 1600 MBPS -40 C~+95 C
NT5CB64M16GP-DIA FBGA-96 1.5 V 1600 MBPS -40 C~+95 C
NT5CB64M16GP-DII FBGA-96 1.5 V 1600 MBPS -40 C~+95 C
NT5CB64M16GP-DIT FBGA-96 1.5 V 1600 MBPS -40 C~+95 C