H5TQ1G83EFR-RDC
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | H5TQ1G83EFR-RDC |
| 厂牌 | SK HYNIX/海力士 |
| IC 类别 | DDR3 SDRAM |
| IC代码 | 128MX8 DDR3 |
| 共通IC编号 | H5TQ1G83EFR-RDCR |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.5 V |
| 温度规格 | 0 C~+95 C |
| 速度 | 1866 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 1G |
| Operating Temperature | commercial temperature(0°C~85°C) & normal power |
| Package Material | lead & halogen free(ROHS compliant) |
| Hynix Memory | H |
| Die Generation | 6th |
| No Of Banks | 8 banks |
| Product Family | DRAM |
| Shipping Method | tray |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| H5TQ1G83DEFR-RDC | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+95 C |
| H5TQ1G83DFR-RDC | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+95 C |
| NT5CB128M8GN-EK | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+95 C |