H9HCNNN8KUMLHR-NMOR

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 H9HCNNN8KUMLHR-NMOR
厂牌 SK HYNIX/海力士
IC 类别 LPDDR4 SDRAM
IC代码 256MX32 LPDDR4

产品详情

脚位/封装 FBGA-200
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.1 V
温度规格 -40 C~+95 C
速度 3733 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Generation 1st
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 8Gb, DDP, 2Ch, 1CS
Nvm Speed none

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
H9HCNNN8KUMLHR-NMOR 0 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H9HCNNN8KUMLHR-NME MOQ 100K FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
H9HCNNN8KUMLHR-NMI FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
H9HCNNN8KUMLHR-NMIR FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
H9HCNNN8KUMLHR-NMN FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F8E3S4HB-MFCJ FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F8E3S4HB-MFCJ03V FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F8E3S4HB-MHCJ FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F8E3S4HB-MHCJT2V FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GFCL03N FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GFCL03V FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C