H9HCNNNBKMALHR-NEE

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号	H9HCNNNBKMALHR-NEE
厂牌	SK HYNIX/海力士
IC 类别	LPDDR4X SDRAM
IC代码	1GX16 LPDDR4

产品详情

脚位/封装	FBGA-200
外包装
无铅/环保	无铅/环保
电压(伏)	1.1 V
温度规格	-25 C~+85 C
速度	4266 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Generation	2nd
Package Material	Lead & Halogen Free
Hynix Memory	H
Product Mode	LPDDR4 Only
Dram Voltage	1.1V/0.6V,LPDDR4
Nvm Option	None
Dram Density	16Gb, DDP, 2Ch, 1CS
Nvm Speed	none

供应链有货

IC 编号	数量	生产年份
H9HCNNNBKMALHR-NEE	5,693	2020+	索取报价
H9HCNNNBKMALHR-NEE	2,000	100% NEW	索取报价
H9HCNNNBKMALHR-NEE	5,600	20+	索取报价
H9HCNNNBKMALHR-NEE	1,547	2020+	索取报价
H9HCNNNBKMALHR-NEE	0		索取报价
H9HCNNNBKMALHR-NEE	200		索取报价
H9HCNNNBKMALHR-NEE	1,000		索取报价
H9HCNNNBKMALHR-NEE	47	1812+	索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号	脚位/封装	电压(伏)	速度	温度规格
H9HCNNNBKMMLXR-NEE	FBGA-200	1.1 V	4266 MBPS	-25 C~+85 C
H9HCNNNBKMMLXR-NEER	FBGA-200	1.1 V	4266 MBPS	-25 C~+85 C
H9HCNNNBKUMLXR-NEE	FBGA-200	1.1 V	4266 MBPS	-25 C~+85 C