H9HCNNNBKUMLHR-NEN

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 H9HCNNNBKUMLHR-NEN
厂牌 SK HYNIX/海力士
IC 类别 LPDDR4 SDRAM
IC代码 1GX16 LPDDR4

产品详情

脚位/封装 FBGA-200
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.1 V
温度规格 -40 C~+95 C
速度 4266 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Generation 1st
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 16Gb, DDP, 2Ch, 1CS
Nvm Speed none

可替代IC编号

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D WFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H9HCNNNBKMMLHR-NEN FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C
H9HCNNNBKMMLXR-NEI FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C
MT53E1G16D1FW-046 AIT:A VFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C
MT53E1G16D1FW-046 AIT:A TR VFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C