H9HCNNNBKUMLHR-NME

产品概述

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制造商IC编号 H9HCNNNBKUMLHR-NME
厂牌 SK HYNIX/海力士
IC 类别 LPDDR4 SDRAM
IC代码 1GX16 LPDDR4

产品详情

脚位/封装 FBGA-200
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.1 V
温度规格 -25 C~+85 C
速度 3733 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Generation 1st
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 16Gb, DDP, 2Ch, 1CS
Nvm Speed none

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
H9HCNNNBKUMLHR-NME 0 2120+ 索取报价
H9HCNNNBKUMLHR-NME 12,000 索取报价
H9HCNNNBKUMLHR-NME 0 索取报价
H9HCNNNBKUMLHR-NME 0 21+ 索取报价
H9HCNNNBKUMLHR-NME 5,000 索取报价
H9HCNNNBKUMLHR-NME 1,547 1945+ 索取报价
H9HCNNNBKUMLHR-NME 10,807 索取报价
H9HCNNNBKUMLHR-NME 1,547 19+ 索取报价
H9HCNNNBKUMLHR-NME 9,600 索取报价
H9HCNNNBKUMLHR-NME 6,000 索取报价

可替代IC编号

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT53D512M32D2DS-053 WT:D WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -35 C~+85 C

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H9HCNNNBKMMLHR-NME FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C