HY57V641632DTC-6
产品详情
| 脚位/封装 | TSOP2 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 含铅 |
| 电压(伏) | 3.3 V |
| 温度规格 | 0 C~+70 C |
| 速度 | 166 MHZ |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 4M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 64M |
| Hynix Memory | HY |
| Die Generation | 5th Gen. |
| No Of Banks | 8 banks |
| Power Consumption | normal power |
| Shipping Method | tray |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| HY57V641632HGT-6 | TSOP2 | 3.3 V | 166 MHZ | 0 C~+70 C |
| HY57V651621BTC-6 | TSOP2 | 3.3 V | 166 MHZ | 0 C~+70 C |