脚位/封装 | FBGA-90 |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 3.3 V |
温度规格 | 0 C~+70 C |
速度 | 133 MHZ |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 4M |
Bit Organization | x32 |
Density | 128M |
Package Material | Lead free |
Hynix Memory | HY |
Die Generation | 1st Gen. |
Power Consumption | normal |
Shipping Method | tray |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
HY5V22FP-H | 27,000 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
EDS1232AABB-75 | FBGA-90 | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |
EDS1232AABB-75E | FBGA-90 | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |
EDS1232AABB-75LU-E | FBGA-90 | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |
EDS1232AABB75LE | FBGA-90 | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |
EDS1232AASE-75 | FBGA-90 | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |
EDS1232AASE-75-E | FBGA-90 | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |
EDS1232AASE-75-E PB FREE | FBGA-90 | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |
EDS1232AASE-75E OR | FBGA-90 | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |
EDS1232AASE-75L-E | FBGA-90 | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |
EDS1232CABB75E | FBGA-90 | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |