IS61QDB42M18A-333M3

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 IS61QDB42M18A-333M3
厂牌 ISSI/矽成
IC 类别 SRAM-DDR2
IC代码 2MX18 QDB
共通IC编号 IS61QDB42M18A-333M3-TR

产品详情

脚位/封装 FBGA-165
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 1.8 V
温度规格 -40 C~+125 C
速度 333 MHZ
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 2M
Bit Organization x18
Density 36M
Odt Option No ODT
Configuration 2M x18
Product Type QUAD
Issi Designator IS
Rohs Version Leaded
Burst Type Burst 4
Die Rev A
Read Latency 1.5 clock cycles or 2.5 clock cycles

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
IS61QDB42M18A-333B4 FBGA-165 1.8 V 333 MHZ -40 C~+125 C
IS61QDB42M18A-333B4-TR FBGA-165 1.8 V 333 MHZ -40 C~+125 C
IS61QDB42M18A-333B4I FBGA-165 1.8 V 333 MHZ -40 C~+125 C
IS61QDB42M18A-333B4I-TR FBGA-165 1.8 V 333 MHZ -40 C~+125 C
IS61QDB42M18A-333B4L-TR FBGA-165 1.8 V 333 MHZ -40 C~+125 C
IS61QDB42M18A-333B4LI-TR FBGA-165 1.8 V 333 MHZ -40 C~+125 C
IS61QDB42M18A-333M3I FBGA-165 1.8 V 333 MHZ -40 C~+125 C
IS61QDB42M18A-333M3I-TR FBGA-165 1.8 V 333 MHZ -40 C~+125 C
IS61QDB42M18A-333M3L-TR FBGA-165 1.8 V 333 MHZ -40 C~+125 C
IS61QDB42M18A-333M3LI-TR FBGA-165 1.8 V 333 MHZ -40 C~+125 C