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制造商IC编号 | K3QF2F20DA-QGCFTMO |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | LPDDR3 MOBILE |
IC代码 | 512MX32 LPDDR3 |
脚位/封装 | FBGA-216 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.8V/1.2V/ |
温度规格 | -25 C~+85 C |
速度 | 1866 MHZ |
标准包装数量 | |
标准外箱 |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
K3QF2F20DA-QGCFTMO | 2,084 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
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K3QF2F20DA-QGCE | FBGA-216 | 1.8V/1.2V/ | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |
K3QF2F20DA-QGCE LPDDR3 16GB | FBGA-216 | 1.8V/1.2V/ | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |
K3QF2F20DA-QGCE-0JR | FBGA-216 | 1.8V/1.2V/ | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |
K3QF2F20DA-QGCE000 | FBGA-216 | 1.8V/1.2V/ | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |
K3QF2F20DA-QGCF | FBGA-216 | 1.8V/1.2V/ | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |
K3QF2F20DA-QGCK | FBGA-216 | 1.8V/1.2V/ | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |
K3QF2F20DM-BGCE | FBGA-216 | 1.8V/1.2V/ | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |
K3QF2F20DM-QGCE | FBGA-216 | 1.8V/1.2V/ | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |
K3QF2F20EM-QGCE | FBGA-216 | 1.8V/1.2V/ | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |
K3QF2F20EM-QGCE000 | FBGA-216 | 1.8V/1.2V/ | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |