K4A4G085WE-BCPB0CK

产品概述

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制造商IC编号 K4A4G085WE-BCPB0CK
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR4 SDRAM
IC代码 512MX8 DDR4

产品详情

脚位/封装 FBGA-78
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.2V
温度规格 0 C~+85 C
速度 2133 MBPS
标准包装数量 1280
标准外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4A4G085WE-BCPB0CK 11,200 15+ 索取报价
K4A4G085WE-BCPB0CK 100,000+ 索取报价
K4A4G085WE-BCPB0CK 100,000+ 索取报价
K4A4G085WE-BCPB0CK 100,000+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H5AN4G8MFR-TFC FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NA/MFR-TFC FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NAFR-TFC FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NAFR-TFC: FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NAGR-TFC FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NBJR-TFC FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NBJR-TFCR FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NMFR-TFC FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NMFR-TFCBID FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
HSAN4G8NBJR-TFCR FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C