K4A4G165WE-BITD
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4A4G165WE-BITD |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR4 SDRAM |
| IC代码 | 256MX16 DDR4 |
| 共通IC编号 | K4A4G165WE-BITD0CV |
| K4A4G165WE-BITDTCV |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.2 V |
| 温度规格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 2666 MBPS |
| 标准包装数量 | 1120 |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 4Gb |
| Internal Banks | 16 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 6th Generation |
可替代IC编号
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| MT40A256M16GE 083E:B | FBGA-96 | 1.2 V | 2400 MBPS | 0 C~+70 C |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| AS4C256M16D4-75BIN | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+85 C |
| AS4C256M16D4-75BINTR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+85 C |
| AS4C256M16D4A-75BIN | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+85 C |
| AS4C256M16D4A-75BINTR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+85 C |
| IS43QR16256B-075UBI | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+85 C |
| IS43QR16256B-075UBLA1 | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+85 C |
| IS43QR16256B-075UBLI | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+85 C |
| IS43QR16256B-075UBLI-TR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+85 C |
| IS46QR16256B-075UBLA1 | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+85 C |
| IS46QR16256B-075UBLA1-TR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+85 C |