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制造商IC编号 | K4A8G165WB-BCWE |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR4 SDRAM |
IC代码 | 512MX16 DDR4 |
共通IC编号 | K4A8G165WB-BCWE0CV |
脚位/封装 | FBGA-96 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.2 V |
温度规格 | 0 C~+85 C |
速度 | 3200 MBPS |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x16 |
Density | 8Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 3rd Generation |
Power | Normal Power |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
MT40A512M16LY-062E:E | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
MT40A512M16LY-062E AAT | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
MT40A512M16LY-062E ES:D | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
MT40A512M16LY-062E ES:E | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
MT40A512M16LY-062E ES:J | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
MT40A512M16LY-062E IT | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
MT40A512M16LY-062E IT:E L | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
MT40A512M16LY-062E:D | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
MT40A512M16LY-062E:E TR | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
MT40A512M16LY-062E:H | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
MT40A512M16LY-062E:J | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |