K4B1G0846D-HCG8
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4B1G0846D-HCG8 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR3 SDRAM |
| IC代码 | 128MX8 DDR3 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.35V |
| 温度规格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | DDR3-1066 (533MHz @ CL=8, tRCD=8,tRP=8) |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 1G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 5th Generation |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4B1G0846D-HCG8 | 1,178 | 2007+ | 索取报价 |