K4B1G0846D-HCK0

产品概述

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制造商IC编号 K4B1G0846D-HCK0
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3 SDRAM
IC代码 128MX8 DDR3

产品详情

脚位/封装 FBGA-78
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35V
温度规格 0 C~+85 C
速度 1600 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Power Normal Power
Generation 5th Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4B1G0846D-HCK0 5,500 索取报价
K4B1G0846D-HCK0 542 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
IS43TR81280CL-125JB FBGA-78 1.35 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846C-ZCE7 FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HCK FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HCK0 FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846F-HCK0 FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846FHCKO FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCH9/BCK0 FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCK0 FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCK00 FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846G-BCK0000 FBGA-78 1.35V 1600 MBPS 0 C~+85 C