K4B1G1646E-HCF7

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号	K4B1G1646E-HCF7
厂牌	SAMSUNG/三星
IC 类别	DDR3 SDRAM
IC代码	64MX16 DDR3

产品详情

脚位/封装	FBGA-96
外包装
无铅/环保	无铅/环保
电压(伏)	1.5 V
温度规格	0 C~+85 C
速度	800 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words	64M
Bit Organization	x16
Density	1G
Internal Banks	8 Banks
Generation	6th Generation
Power	Normal Power

供应链有货

IC 编号	数量	生产年份
K4B1G1646E-HCF7	4,000		索取报价
K4B1G1646E-HCF7	6,776		索取报价
K4B1G1646E-HCF7	5,203		索取报价
K4B1G1646E-HCF7	3,600	2010	索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号	脚位/封装	电压(伏)	速度	温度规格
K4B1G1646C-ZCF7	FBGA-96	1.5 V	800 MBPS	0 C~+85 C
K4B1G1646D-HCF7	FBGA-96	1.5 V	800 MBPS	0 C~+85 C
K4B1G1646D-HYF7	FBGA-96	1.5 V	800 MBPS	0 C~+85 C
K4B1G1646I-BCF8000	FBGA-96	1.5 V	800 MBPS	0 C~+85 C