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制造商IC编号 | K4B2G0846BHCF0 |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR3 SDRAM |
IC代码 | 256MX8 DDR3 |
脚位/封装 | FBGA-78 |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.5 V |
温度规格 | 0 C~+85 C |
速度 | 1066 MBPS |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x8 |
Density | 2G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 3rd Generation |
Power | Normal Power |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
K4B2G0846BHCF0 | 4,000 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
K4B2G0846D-HYF8 | FBGA-78 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B2G0846DHCF7 | FBGA-78 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B2G0846E-MCF8 | FBGA-78 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J256M8DA-187E ES:H | FBGA-78 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J256M8DA-187E ES:J | FBGA-78 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J256M8DA-187E:H | FBGA-78 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J256M8HX-187E | FBGA-78 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J256M8HX-187E ES:D | FBGA-78 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J256M8HX-187E:D | FBGA-78 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J256M8HX-187E:F | FBGA-78 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |