K4B2G0846F-BMMA
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4B2G0846F-BMMA |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR3L SDRAM |
| IC代码 | 256MX8 DDR3 |
| 共通IC编号 | K4B2G0846F-BMMA0CV |
| K4B2G0846F-BMMATCV |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.35V |
| 温度规格 | -40 C~+95 C |
| 速度 | 1866 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 2G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Low VDD(1.35V) |
| Generation | 7th Generation |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4B2G0846F-BMMATCV | 933 | 索取报价 | |
| K4B2G0846F-BMMA | 8,000 | 索取报价 | |
| K4B2G0846F-BMMATCV | 3,000 | 2023 | 索取报价 |
| K4B2G0846F-BMMATCV | 10,000 | 24+ | 索取报价 |
| K4B2G0846F-BMMATCV | 0 | 索取报价 | |
| K4B2G0846F-BMMATCV | 10,000 | 索取报价 | |
| K4B2G0846F-BMMA | 10,240 | 索取报价 | |
| K4B2G0846F-BMMA | 20,480 | 索取报价 | |
| K4B2G0846F-BMMA | 10,000 | 23+ | 索取报价 |
| K4B2G0846F-BMMATCV | 20,000 | 22+ | 索取报价 |
可替代IC编号
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| MT41K256M8DA-125 AIT:K | FBGA-78 | 1.35V | 1600 MBPS | -40 C~+95 C |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K4B2G0846F-BMMA0C | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| NT5CC256M8JQ-EK TR | VFBGA-78 | 1.35V/1.5V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| NT5CC256M8JQ-EKA | VFBGA-78 | 1.35V/1.5V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| NT5CC256M8JQ-EKA TR | VFBGA-78 | 1.35V/1.5V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| NT5CC256M8JQ-EKI | VFBGA-78 | 1.35V/1.5V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| NT5CC256M8JQ-EKI TR | VFBGA-78 | 1.35V/1.5V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |