K4B2G1646E-BCK
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4B2G1646E-BCK |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR3 SDRAM |
| IC代码 | 128MX16 DDR3 |
| 共通IC编号 | K4B2G1646E-BCK0 |
| K4B2G1646E-BCK0000 | |
| K4B2G1646E-BCK0T | |
| K4B2G1646E-BCK0T00 | |
| K4B2G1646E-BCK0TCV |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.5 V |
| 温度规格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | DDR3-1600(11-11-11) |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 2G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 6th Generation |
| Power | Normal Power |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4B2G1646E-BCK0 | 0 | 索取报价 | |
| K4B2G1646E-BCK0TCV | 1,960 | 索取报价 | |
| K4B2G1646E-BCK0TCV | 2,568 | 索取报价 | |
| K4B2G1646E-BCK0 | 2,168 | 12+13+ | 索取报价 |
| K4B2G1646E-BCK0T | 3,013 | 索取报价 | |
| K4B2G1646E-BCK0TCV | 9,080 | 索取报价 | |
| K4B2G1646E-BCK0T | 3,286 | 索取报价 | |
| K4B2G1646E-BCK0TCV | 9,120 | 索取报价 | |
| K4B2G1646E-BCK0T | 3,787 | 索取报价 | |
| K4B2G1646E-BCK0 | 2,421 | 索取报价 |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K4B2G1646E-BCKO | FBGA-96 | 1.5 V | DDR3-1600(11-11-11) | 0 C~+85 C |
| K4B2G1646Q-BCK | FBGA-96 | 1.5 V | DDR3-1600(11-11-11) | 0 C~+85 C |
| K4B2G1646Q-BCK9 | FBGA-96 | 1.5 V | DDR3-1600(11-11-11) | 0 C~+85 C |
| K4B2G1646Q-BCKO | FBGA-96 | 1.5 V | DDR3-1600(11-11-11) | 0 C~+85 C |
| K4B2G1646Q-BCKO 1.79 | FBGA-96 | 1.5 V | DDR3-1600(11-11-11) | 0 C~+85 C |