K4B2G1646E-BYH9

产品概述

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制造商IC编号 K4B2G1646E-BYH9
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3L SDRAM
IC代码 128MX16 DDR3L

产品详情

脚位/封装 FBGA-96
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 1333 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 128M
Bit Organization x16
Density 2G
Internal Banks 8 Banks
Power Low VDD(1.35V)
Generation 6th Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4B2G1646E-BYH9 0 索取报价
K4B2G1646E-BYH9 1,000 索取报价
K4B2G1646E-BYH9 920 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
EM6HD16EWBH-15H FBGA-96 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TC2G63BFR-H9A FBGA-96 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TC2G63DFR-H9C FBGA-96 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TC2G63FFR-H9A FBGA-96 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16128AL-15HBL FBGA-96 1.35 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16128AL-15HBL-TR FBGA-96 1.35 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16128BL-15HBL FBGA-96 1.35 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16128BL-15HBL-TR FBGA-96 1.35 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16128BL-15HBLC FBGA-96 1.35 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16128CL-15HBL FBGA-96 1.35 V 1333 MBPS 0 C~+85 C