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制造商IC编号 | K4B4G0846B-MYF8 |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR3 SDRAM |
IC代码 | 512MX8 DDR3L |
脚位/封装 | FBGA-78 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.35V |
温度规格 | -40 C~+95 C |
速度 | 1066 MBPS |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x8 |
Density | 4G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 3rd Generation |
Power | Low VDD(1.35V) |