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制造商IC编号 | K4B4G0846D-H9 |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR3 SDRAM |
IC代码 | 512MX8 DDR3 |
脚位/封装 | FBGA-78 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.5 V |
温度规格 | 0 C~+85 C |
速度 | 1333 MBPS |
标准包装数量 | |
标准外箱 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
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MT41J512M8THD-15E | FBGA-78 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J512M8THD-15E ES:D | FBGA-78 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J512M8THD-15E:D | FBGA-78 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J512M8THD-15ED | FBGA-78 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J512M8THD-15EDPEOL | FBGA-78 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J512M8THD15E:DTR | FBGA-78 | 1.5 V | 1333 MBPS | 0 C~+85 C |