K4B4G0846Q-HCK0

产品概述

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制造商IC编号 K4B4G0846Q-HCK0
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3 SDRAM
IC代码 512MX8 DDR3

产品详情

脚位/封装 FBGA-78
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.5 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 1600 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 17th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4B4G0846Q-HCK0 2,000 索取报价
K4B4G0846Q-HCK0 10,000 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H5TQ4G83BFR-PBA FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G83CMR-PBC (DDP) FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G83DFR-PBA FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G83EFR-PBA FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G83MFR-PBA FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G83MFR-PBC0 FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
HXB15H4G800CF-13K TFBGA-78 1.5V 1600 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120A125KBL BGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120AL-125KB BGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120AL-125KBL BGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS 0 C~+85 C