K4B4G0846Q-HCMA

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 K4B4G0846Q-HCMA
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3 SDRAM
IC代码 512MX8 DDR3
共通IC编号 K4B4G0846Q-HCMA000

产品详情

脚位/封装 FBGA-78
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.5 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 1866 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 17th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4B4G0846Q-HCMA 4,000 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H5TQ4G83BFR-RDA FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G83BFR-RDCA FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G83CFR-RDA FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G83EFR-RDA FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120A-107MBL BGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120AL BGA-78 1.35V/1.5V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120AL-107MB BGA-78 1.35V/1.5V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120AL-107MBL BGA-78 1.35V/1.5V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120AL-107MBL-TR BGA-78 1.35V/1.5V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR85120AL-107MBLC BGA-78 1.35V/1.5V 1866 MBPS 0 C~+85 C